Эта работа опубликована в сборнике статей с материалами трудов 1-ой международной телеконференции "Проблемы и перспективы современной медицины, биологии и экологии". Название сборника "Фундаментальные науки и практика Том 1, №1"

Посмотреть обложку сборника

Скачать информацию о сборнике (в архиве: обложка, тит. лист, оглавление, список авторов)

 

ГОУ ВПО Дагестанская государственная медицинская академия

Пластины арсенида галлия, используемые в качестве подложек для выращивания эпитаксиальных слоёв теллурида кадмия, имели ориентации {100},{110}, {111}. Эксперимент показал, что эпитаксиальные слои теллурида кадмия на подложках арсенида галлия растут только в том случае, если эти подложки предварительно подвергнуть термической обработке в парогазовой атмосфере. Методика нанесения слоев заключалась в следующем. На первом этапе, при следующих технологических условиях – температура зоны кристаллизации 773-923 К, температура зоны источника 993-1013 К, давление водорода 60-100 мм.рт.ст., производилось осаждение слоя на одну сторону подложки. На втором этапе, после откачивания кристаллизационной камеры, переворачивалась подложка арсенида галлия и, при условиях, близких вышеназванным, производился рост слоя. В этом случае, на первой стороне осаждался слой с сильно развитой поверхностью без определенных фигур роста (в основном поликристаллической), а на противоположной стороне, которая подвергалась термической обработке в парогазовой среде, при тех же технологических условиях, осаждался зеркально-гладкий монокристаллический слой с характерными для той или иной ориентации фигурами роста.
Данный факт, по-видимому, объясняется тем, что термическая обработка, которой подвергается на первом этапе одна из сторон подложки, приводит к удалению окисного слоя с одной из поверхностей пластины арсенида галлия.
Совершенные по структуре слои теллурида кадмия на подложках арсенида галлия ориентации {111} были получены при следующих технологических условиях: температура зоны кристаллизации 868 К, температура зоны источника 1013 К, давление водорода 80 мм.рт.ст.. Для ориентации {110}: Ткр = 853 К, Тист=1013 К, РН2=100 мм.рт.ст..
 Следует отметить, что ориентация растущей пленки теллурида кадмия на подложках арсенида галлия в основном определяется температурой кристаллизации. На основе экспериментальных исследований показано, что в зависимости от ориентации подложки возможны те или иные ориентационные соотношения между растущей пленкой и подложкой. Так при выращивании из парогазовой фазы эпитаксиальных слоёв CdTe на подложке (100) арсенида галлия возможны два ориентационных соотношения между эпитаксиальным слоем и подложкой: (111)CdTe  || (100) GaAs, и (100)CdTe  || (100) GaAs. При оптимальных технологических условиях роста на предварительно обработанной (100) подложке арсенида галлия происходит зародышеобразование (111) CdTe. Зародышеобразование (100) CdTe наблюдается только при отклонении технологических условий роста от оптимальных (например, при повышении температуры подложки до Ткр=927 К).